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问题: 双口SRAM的设计需要重点考虑些什么问题？
SRAM单元的设计很重要，但是单元的静态噪声容限（单元比率），稳定性，读出速率等如何考虑? 仿真验证？
谢谢
回答1:to who 没人回复我，
自己顶一下，
请大家多帮忙。
回答2:你需要自己设计吗BITCELL吗？双口BITCELL的SNM，一般来讲不是问题，不对称的基本上是VOLTAGE SENSE的，对称的就都是哪种下拉管很大的，反正我见过的双口的以8T的为多，都是不怎么在乎面积，而速度有很高要求的，BITCELL上的设计不是很难吧。
读出速度，你simulaiton一下Iread就可以了，这个是BITCELL决定速度最重要的地方了。
如果是6T的管子，SNM就比较重要了，如果是高速电路，一般要求下拉管比PASS管大于1.7以上（很多书上讲大于2，但大于2比较难做，要么面积下不来，要么就是ASYSMETIC的结构,POLY是不对称的，做出来的PATTERN，如果手工的OPC没修好，容易左右不对称的，不过1.8以上，对称的管子还是相对容易做的出来）
如果是LOW POWER的应用，这个设计上比较简单些，因为对SNM和Iread要求都不那么高，因为一般low power制程的vt比较高（出于控制Ioff的考量)，而vt高的话，SNM一般就不会太差，比较稳定，当然Iread也不会大，不过大部分用到low power的制程的芯片不会对速度有太严格的要求。但是由于有功耗的要求，一般设计这种BITCELL的时候，都会有意的放大channel length（比如说不会用最小rule做POLY length,主要是下拉管)，这样同等面积下偷其他的RULE就比较多（如cont到POLY等），设计时候考虑制程的能力比较多 |
